Ученые Шанхайского института оптики и точной механики Китайской академии наук создали платформу источника экстремального ультрафиолетового света на основе лазерной плазмы, которая достигла 3,42% эффективности преобразования. Результат, опубликованный в статье за март 2025 года, является конкретным шагом к отечественному производству литографических машин, необходимых для создания самых передовых чипов в мире.
Прорыв в EUV
EUV-литография использует свет с длиной волны 13,5 нанометров для создания схем размером менее 7 нанометров. Источник света — самая сложная часть. Для этого требуется направлять мощные лазерные импульсы на крошечные капли олова, чтобы создать плазму, излучающую EUV-излучение. Сбор и фокусировка этого света без значительных потерь
